BCM847DS/DG/B2 115
Производитель Номер продукта:

BCM847DS/DG/B2 115

Product Overview

Производитель:

NXP Semiconductors

Номер детали:

BCM847DS/DG/B2 115-DG

Описание:

NEXPERIA BCM847DS - SMALL SIGNAL
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN 45V 100mA 250MHz 250mW Surface Mount 6-TSOP

Инвентаризация:

12967680
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

BCM847DS/DG/B2 115 Технические характеристики

Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивы биполярных транзисторов
Производитель
NXP Semiconductors
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
2 NPN
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
45V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
400mV @ 5mA, 100mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
15nA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 5V
Мощность - Макс
250mW
Частота - переход
250MHz
Рабочая температура
150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Комплект устройства поставщика
6-TSOP
Базовый номер продукта
BCM847

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
4,438
Другие названия
2156-BCM847DS/DG/B2 115-954

Классификация окружающей среды и экспорта

Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Vendor Undefined
Статус REACH
REACH Unaffected
Сертификация DIGI
Связанные продукты
nxp-semiconductors

PBSS5112PAP,115

NEXPERIA PBSS5112PAP - SMALL SIG

harris-corporation

CA3096CM96

3 NPN, 2 PNP TRANSISTOR ARRAY

onsemi

EMT2DXV6T5G

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,

harris-corporation

CA3083M

GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT NPN